2015电子科技大学832微电子器件考研真题

研导师温馨提示：

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料，每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透，做到融汇贯通。

专业课复习建议：

1、备考初期以课本为主，把课本的专业课必考点巩固好，打好基础。另外，一般情况下，课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书，来加以强化训练。同时，也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透，建议多做几遍，模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段，也应回归课本，梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考，实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

资料内容：

2015电子科技大学832微电子器件考研真题

真题原文：

电子科技大学
2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832  微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 45 分，每空 1 分）
1、泊松方程的积分形式即是（                 ）定理，它的物理意义是：流出一个闭合
曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（                  ）。
2 、 PN 结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（            ）只存在于正向偏
压之下；（           ）的正负电荷在空间上是分离的；（           ）能用作变容二
极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（      ），正
向导通压降更（       ）。
4 、碰撞电离率是指每个载流子在（            ）内 由 于 碰撞电离产生的（               ）
的数目。电场越（      ）， 材料的禁带宽度越（       ）， 碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN 结的雪崩击穿电压将（         ）， 这 是 因为温度升高将导致晶格振动
加强，因而载流子的平均自由程（             ）。
6 、 MOSFET 用于数字电路时，其工作点设置在（           ）区和（           ）区；
双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（               ）区。
7、双极型晶体管的tb 既是基区渡越时间，又是（              ）电阻与（             ）
电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（           ）电流受（          ）电压变化的影响。双
极型晶体管的直流偏置点电流 IE 越大，跨导越（        ）； 工 作 温 度 越高，跨导越
（        ）。（ 第三、四个空填“大”或“小”）
9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：IES（         ）ICS；
    I CBO（         ）I CEO； BVCBO（        ）BVCEO；BVEBO（         ） BVCBO    
     （填“>”、“<”或“=”）
10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（     ）零，发射结上的偏
压（     ）零。  （填“>”、 “<”或“=”） 

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