2014年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题

2014年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题

真题原文：

南京航空航天大学
2014 年硕士研究生入学考试初试试题（ A 卷 ）
科目代码: 868 满分: 150 分 科目名称: 致电离辐射探测学
注意: ①认真阅读答题纸上的注意事项；②所有答案必须写在答题纸上，写在本试题纸或草稿纸上均无
效；③本试题纸须随答题纸一起装入试题袋中交回！
一、选择题（每题 6 分， 共 30 分）
1、气体探测器在测量电离辐射时，产生的电压脉冲信号是由
（1）电极完全收集电子和离子后形成的；
（2）电极收集电子和离子过程中，电极上感生电荷的变化形成的；
（3）收集快电子形成的；
（4）收集慢离子形成的。
2、下列哪个效应产生γ射线能谱上的全能峰？
（1）光电效应；
（2）康普顿散射；
（3）电子对效应；
（4）特征 X 射线。
3、用电离辐射探测器测量γ射线能谱时， 在全能峰与康普顿边缘之间除了本底造成的计数外，下列哪
个因素产生计数？
（1）光电效应；
（2）周围材料的康普顿散射；
（3）探测材料中多次康普顿散射；
（4）康普顿背散射。
4、造成 G-M 管死时间的原因是
（1）电子雪崩产生的大量的电子，削弱阳极的电场强度；
（2）电子雪崩产生的大量的正离子，削弱阳极的电场强度；
（3）猝熄分子终止放电；
（4）猝熄抑制正离子的发射。
5、在半导体探测器中，PN 结区的厚度决定探测器的探测效率和测量能量范围，如何增加结区的厚度？
（1） 增加 P 区和 N 区的厚度；
（2） 增加加载在 PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度；
（3） 增加加载在 PN 结上的偏压，减小半导体材料的杂质浓度；
（4） 减小加载在 PN 结上的偏压，增加半导体材料的杂质浓度

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