2014电子科技大学832微电子器件考研真题

研导师温馨提示：

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料，每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透，做到融汇贯通。

专业课复习建议：

1、备考初期以课本为主，把课本的专业课必考点巩固好，打好基础。另外，一般情况下，课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书，来加以强化训练。同时，也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透，建议多做几遍，模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段，也应回归课本，梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考，实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

资料内容：

2014电子科技大学832微电子器件考研真题

真题原文：

电子科技大学
2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分）
1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ ）向偏置的
（ ）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升
高而（ ）。
2、一个 P+N 型的二极管，电子和空穴的寿命分别为 τn和 τp，在外加正向直流电压 V1时电流
为 I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通
时存储在（ ）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为
（ ）。
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ ）。同时，禁带宽带越
（ ）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ ），共发射极增量输
出电阻越（ ）。 （填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则 1/τB表示的物理
意义为（ ），因此τb/τB可以表示
（ ）。
6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ ）的控制能力。
栅氧化层越厚，则 S 越（ ），该控制能力越（ ）。（第二个空填“大”或“小”，
第三个空填“强”或“弱”）
7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表
面将形成（ ），该结构（ ）单向导电性。（从以下选项中选择）
A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有 F 不具有

资料截图：



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