2016电子科技大学832微电子器件考研真题

研导师温馨提示：

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料，每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透，做到融汇贯通。

专业课复习建议：

1、备考初期以课本为主，把课本的专业课必考点巩固好，打好基础。另外，一般情况下，课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书，来加以强化训练。同时，也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透，建议多做几遍，模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段，也应回归课本，梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考，实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

资料内容：

2016电子科技大学832微电子器件考研真题

真题原文：

电子科技大学
2016 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 44 分，每空 1 分）
1、PN 结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（ ）处到
（ ）处的电位差。掺杂浓度越高，内建电势将越（ ）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在 PN 结势垒区内，（ ）已完全耗尽；而在势垒区
之外，（ ）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（ ），
其原因是它的（ ）更小。
4、在计算实际 PN 结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度
梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（ ）结求解。
5、温度升高时，PN 结的齐纳击穿电压会（ ），因为（ ）随温度升高减小了。
6、一个 PN 结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将
（ ），原因是电子辐照在半导体中引入了（ ）。
7、当 PN 结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（ ），扩散电容会（ ）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）
8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（ ），厄尔利电压
越（ ）。（填“大”或“小”）
9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（ ）电流与
（ ）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率
γ 会（ ）；同时，和 PN 结大注入相类似，基区内会发生（ ）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（ ）< f <（ ）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（ ）与（ ）的乘积。

资料截图：



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