天津理工大学2021考研初试大纲：半导体物理808

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　　考试科目名称： 半导体物理

　　一、考试方式

　　考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。

　　二、 试卷结构与分数比重

　　试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中：名词解释占20%，简答题占30%，证明题占10%，计算题占10%，论述题占30%。

　　三、考查的知识范围

　　1.半导体中的电子状态(10%)：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

　　2.载流子的统计分布(15%)：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。

　　3.半导体的导电性(15%)：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程;强电场效应，热载流子。

　　4.非平衡载流子(20%)：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。

　　5.PN结(15%)：PN结及其能带图，PN结电流电压特性。

　　6.金属和半导体的接触(10%)：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注入，欧姆接触。

　　7.半导体表面与MIS结构(15%)：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO2系统的性质，表面电导。

　　四、参考书目

　　《半导体物理学》(第7版)，刘恩科主编，电子工业出版社

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