17北京大学微电905真题回忆 经验

      第一题名词解释  六个，迁移率 爱因斯坦关系 有效质量 扩散电容 俄歇复合 肖特基势垒
第二题缓变pn结电场电势推导，画出能带图
第三题说明pn结两种击穿机制及其受温度掺杂的影响
第四题推导费米能级随温度的变化关系
第五题是一个mos大题，最难的一道，在10年原题基础上改编
第六题先说明间接复合的几个过程及关系，然后是考查了直接间接半导体的理解。
17年905半物试题总体还是基于往年题目，不过变化还是有一些的（相对于有几年的近乎全部原题）。905的题型固定，难度不大，基本上搞懂了十年的真题保证110以上，这也是大部分分数高的人都选这个的原因。 信科院和深研院题目完全一样，今年信科统招六七个，深研院信工二十多个。 一般来说深研院要好考一些往年经常招不满，不过大概这样想的人多了，去年高分段超本部，今年更是最高分复试线全面压过。本来抱着求稳的心态，所幸发挥不错考了四百多才有惊无险。
本人17年报考深研院微电，初试复试均前三，专业课137，复习过程比较认真地整理了一份资料，需要的话可以联系我。 q二三午留八衣铃衣三巴
复试的话深研院这边是先用英语回答几个问题，再在半物 电路 光电三个试题库中任选其一回答几个问题。我抽的是半物，都是些比较基础问题，去费米能级的理解，霍尔效应。然后就是随意问些问题了。

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