2015年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2015-B)考研真题

研导师温馨提示：

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料，每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透，做到融汇贯通。

专业课复习建议：

1、备考初期以课本为主，把课本的专业课必考点巩固好，打好基础。另外，一般情况下，课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书，来加以强化训练。同时，也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透，建议多做几遍，模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段，也应回归课本，梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考，实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

资料内容：

2015年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2015-B)考研真题

真题原文：

桂林电子科技大学2015年研究生统一入学考试试题
科目代码：909          科目名称：材料科学基础B
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
（各题标题字号为黑体五号字，题干字号为标准宋体五号字。）
一、名词解释（任选6题作答，每题5分，共30分）
  1、弗伦克尔缺陷；      2、奥氏体；     3、均匀形核；
  4、上坡扩散；          5、螺位错；     6、滑移系；7、桥氧；8、烧结
二、简答题（任选6题作答，每题10分，共60分）
1、简述F-R（弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并给予图示
2、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件是什么？
3、在一个面心立方晶胞中画出(012)晶面
4、BCC的配位数为多少，计算BCC的致密度和(112)晶面的面间距（设晶格常数为a）
5、写出Hall-Petch公式，说明公式中各字母的含义。
6、材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？举例说明制备大晶粒单晶的两种主要方法。
7、下图为某材料的扩散系数和温度的关系曲线。说明(1)、（2）和（3）温区各属于什么扩散？
8、Al2O3溶入MgO中形成空位型固溶体，试写出其缺陷反应式。
三、计算题（任选1题作答，共20分）
1、碳的质量分数为0.1％的低碳钢，置于含碳质量为1.2％的渗碳气氛中，在920ºC进行渗碳处理，如果要求离表面0.002m处碳的质量分数达到0.45％，问渗碳时间为多长？（已知碳在铁中的920ºC的扩散激活能为133984 J/mol，D0=0.23 cm2/s，误差函数表如下所示，要求写出详细的计算过程。）
Z erf(Z) Z erf(Z)
0.00 0.00000 0.65 0.64203
0.05 0.05637 0.70 0.67780
0.10 0.11246 0.75 0.71116
0.15 0.16800 0.80 0.74210
0.20 0.22270 0.85 0.77067
0.25 0.27633 0.90 0.79691
0.30 0.32863 0.95 0.82089

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