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研导师温馨提示：
历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料，每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透，做到融汇贯通。
专业课复习建议：
1、备考初期以课本为主，把课本的专业课必考点巩固好，打好基础。另外，一般情况下，课后习题也很关键。
2、备考中期可以通过辅助参考书，来加以强化训练。同时，也可以开始接触考研真题。
3、真题吃透，建议多做几遍，模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段，也应回归课本，梳理知识点。
ps.可以站在出卷老师的角度进行思考，实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。
资料内容：
2013年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2013-A)考研真题
真题原文：
桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题
（A卷）
科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
一、名词解释（任选6题作答，每题5分，共30分）
1、晶面间距；2、肖特基缺陷；3、刃型位错；4、非均匀形核；5、柯肯达尔效应；
6、莱氏体；7、桥氧；8、烧结
二、简答题（任选4题作答，每题10分，共40分）
1、证明理想密排六方结构晶体的轴比c/a为1.633。
2、什么是细晶强化？简述细晶强化的机理。
3、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件是什么？
4、简述F-R（弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并予以图示。
5、NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。
6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？
三、分析题（任选2题作答，每题15分，共30分）
1、在同一晶胞中画出立方晶系中的 晶面以及 晶向。
2、分析位错反应 能否发生？（要求写出判断依据）。
3、根据Al2O3-SiO2系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什么？
资料截图：
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2013年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2013-A)考研真题 |
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