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2014年桂林电子科技大学817电子技术综合(2014-B)考研真题

 

研导师温馨提示:

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料,每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透,做到融汇贯通。

专业课复习建议:

1、备考初期以课本为主,把课本的专业课必考点巩固好,打好基础。另外,一般情况下,课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书,来加以强化训练。同时,也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透,建议多做几遍,模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段,也应回归课本,梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考,实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

 

资料内容:

 

2014年桂林电子科技大学817电子技术综合(2014-B)考研真题

 

真题原文:

桂林电子科技大学2014年研究生统一入学考试试题
科目代码:817   科目名称:电子技术综合(A
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
第一部分   模拟电子技术(满分75分)
一、选择题(每题2分共20分)
1、由NPN管组成的单管共射放大电路,当输入正
弦波电压时,输出uO如图2-1所示,可确定输出波
形产生的失真为(      )。                             
A、饱和失真       B、截止失真
C、交越失真       D、频率失真
2、某差分放大器的差模电压增益为1000,共模抑制比为100dB,则共模电压增益为(   )。
A、0.01 B、0.01dB
C、10 D、10dB
3、、集成运放接成迟滞电压比较器时,电路形式应为(   )。
A、电压负反馈 B、串联负反馈
C、并联负反馈 D、正反馈
4、某负反馈放大电路,其开环增益 ,反馈系数 ,开环输入电阻 ,可推算出其闭环输入电阻 =(       )。
A. 500 ;     B. 50 ;   C.50 ;     D. 5
5、在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应(   )。
A. 减小C,减小Ri       B. 减小C,增大Ri 
C. 增大C,减小 Ri       D. 增大C,增大 Ri
6、差分放大电路由双端输出改为单端输出,共模抑制比KCMR 减小的原因是(     )。
A、 不变, 增大        B、 减小, 不变

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2014年桂林电子科技大学817电子技术综合(2014-B)考研真题