资料详情
2015年桂林电子科技大学813材料科学基础(2015-B)考研真题
研导师温馨提示：
历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料，每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透，做到融汇贯通。
专业课复习建议：
1、备考初期以课本为主，把课本的专业课必考点巩固好，打好基础。另外，一般情况下，课后习题也很关键。
2、备考中期可以通过辅助参考书，来加以强化训练。同时，也可以开始接触考研真题。
3、真题吃透，建议多做几遍，模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段，也应回归课本，梳理知识点。
ps.可以站在出卷老师的角度进行思考，实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。
资料内容：
2015年桂林电子科技大学813材料科学基础(2015-B)考研真题
真题原文：
桂林电子科技大学2015年研究生统一入学考试试题
科目代码：813 科目名称：材料科学基础A
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
1.列式计算体心立方晶胞的致密度（Atomic Packing Factor）。(本题15分)
2.如图1所示某六方晶胞示意图，请给出四轴制描述的OP方向的晶向指数。(本题15分)
图1某六方晶胞示意图
3. MgO的密度为3.58g/cm3，其晶格常数为0.42nm，试求每个MgO单位晶胞内所含的肖脱基缺陷数。提示：MgO晶胞为NaCl型结构。(本题15分)
4. 如图2所示，若由于嵌入额外的(111)面，使得 -Fe内产生一个倾斜 的小角度晶界，试求错排间的平均距离D。提示：已知 -Fe的原子半径为0.1241nm。(本题15分)
图2 第4题所用的图
资料截图：
下载地址：
 |
2015年桂林电子科技大学813材料科学基础(2015-B)考研真题 |
![](/list-183.ht</li>
</ul>
</div>
</div>
</div>
<!--返回顶部-->
<div class="fixed backtop" data-offset-fixed="0">
<a class="win-backtop"></a>
</div>
<!--详情层-->
<div class="detailsbox">
<div class="warp clearfix">
<div class="detailsimg float-left" style="background-color: #fff;; overflow:hidden"><center><img src=/uploads/allimg/171027/7-1G02H23924Z9-lp.png height=){kind=link}