资料详情

2015年桂林电子科技大学813材料科学基础(2015-A)考研真题

 

研导师温馨提示:

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料,每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透,做到融汇贯通。

专业课复习建议:

1、备考初期以课本为主,把课本的专业课必考点巩固好,打好基础。另外,一般情况下,课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书,来加以强化训练。同时,也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透,建议多做几遍,模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段,也应回归课本,梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考,实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

 

资料内容:

 

2015年桂林电子科技大学813材料科学基础(2015-A)考研真题

 

真题原文:

桂林电子科技大学2015年研究生统一入学考试试题
科目代码:813    科目名称:材料科学基础A
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
1. 列式计算面心立方晶胞的致密度(Atomic Packing Factor)。(本题15分)
2. 如图1所示某晶胞示意图,请作图标出坐标为(1/4,1, 1/2)的点。(本题15分)



图1某晶胞示意图

3计算每立方米Cu在1000℃时的平衡空位数量。已知空位形成能为0.9eV/atom; 1000℃时铜的的原子量和密度分别为63.5g/mol和8.4g/cm3 ;玻尔兹曼常数K为 8.62×10-5 eV/K。(本题15分)
4. 已知Cu晶体的点阵常数a=0.35nm,切变模量G=4×104Mpa。有一位错 ,其位错线方向为 ,试计算该位错的应变能。(本题15分)
5. 为研究稳态条件下间隙原子在面心立方金属中的扩散情况,在厚0.25mm的金属薄膜的一个端面(面积1000mm2)保持对应温度下的饱和间隙原子,另一端面为间隙原子为零。测得下列数据:
温度(K) 薄膜中间隙原子的溶解度(kg/m3) 间隙原子通过薄膜的速率(g/s)
1223 14.4 0.0025
1136 19.6 0.0014
计算在这两个温度下的扩散系数和间隙原子在面心立方金属中扩散的激活能。(本题25分)

资料截图:



下载地址:

 

2015年桂林电子科技大学813材料科学基础(2015-A)考研真题